台积电（2330）2026年北美技术论坛展现从「单纯物理微缩」，转型「系统级立体优化」的战略蓝图，随先进封装制程难度变高，有利设备单价提升及市占提高，法人点名，弘塑可望受惠技术升级红利，均华、印能科技、志圣等亦可留意。
投顾法人分析，台积电2026年北美技术论坛主轴为「以领先矽制程扩展AI」，台积电明确展现转型为「系统级立体优化」的战略蓝图，预期2026至2029年是AI后段制程密集兑现的爆发期，前段晶圆代工与后段先进封装界线逐渐模糊，后段制程复杂度已达前段制程水准。
因应日益增长的AI运算需求，台积电持续扩大中介层尺寸，发展蓝图显示，预计2027、2028、2029年分别推出9.5倍、14倍、大于14倍光罩尺寸的封装技术，并依序可搭载12颗HBM4E、20颗HBM5、24颗HBM5E。
法人表示，台积电认为单一晶片物理微缩已接近极限，3D SoIC是打破限制唯一途径，未来趋势不再将所有东西塞进一颗大晶片，而是将多个制程节点进行垂直整合，大幅提升互连密度与运算效能，SoIC做为台积电3D Fabric家族中最前沿的3D矽堆叠技术，是实现「系统级摩尔定律」核心。
台积电预计至2029年SoIC 间距将进一步微缩至4.5微米，并应用于最先进的 A14-on-A14制程生产，借由先进逻辑制程、SoIC及CoWoS 结合，从2024至2029年，单一CoWoS封装内的AI运算电晶体数量将大增48 倍，单一CoWoS的HBM记忆体频宽亦将提升34 倍，大幅提升AI晶片效能。
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