光洋科转投资半导体靶材厂创巨材料（7918）昨（16）日公告，因应营运需求及未来业务发展，董事会决议斥资上限40亿元购置土地及厂房扩产。
创巨自光洋科分割独立后，产线与厂房主要向母公司承租。法人分析，随著半导体材料出货放量，现有厂区产能已达满载且空间受限，加上母子公司部分产线仍有共用情形，创巨启动购置厂房与土地作业，有助于突破现有产能瓶颈，并建立自主营运体系。
据了解，硬碟与半导体靶材在制程与纯度规范上截然不同，此次创巨独自购厂，有利解决过去与光洋科产线共用与设备成本摊提问题。未来专属半导体的机台将全数移至新厂独立运作，考量寻觅厂房与建置需半年至一年时间，此时启动作业，系为因应半导体产业发展与客户扩张提前准备。
业界分析，半导体制程续微缩，薄膜沉积道数增加推升PVD靶材用量，加上晶背供电与先进封装散热需求升温，高阶材料消耗显著放大。晶圆代工厂加速落实在地化采购与循环经济，创巨扩产有助承接长期释出订单。
创巨上半年营收31.11亿元，营业毛利7.18亿元，营业利益5.48亿元，税后纯益4.18亿元，每股纯益10.01元，获利超越去年全年水准，主要受惠先进封装贵金属材料与前段制程靶材拉货强劲。
法人表示，半导体产业下半年市况通常都会比上半年好，在晶圆代工客户先进制程稼动率维持高档与先进封装持续扩产带动下，创巨下半年营运动能充沛，全年获利表现可期，本次巨额资本授权亦确立中长期扩产趋势。
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