联电（2303）抢攻AI伺服器供电商机再出击，昨（22）日宣布携手爱普，结合深沟槽电容（DTC）制程与矽电容设计能力，布局先进封装电源整合市场，双方合作产品已于本季完成投片及初步功能验证，将进一步展开系统效能与可靠度测试。

法人看好，联电与爱普强强联手，将为两家公司营运增添助力，联电方面主要反映在特殊制程接单，爱普则有利于扩大矽电容业务。

业界分析，AI晶片运算效能持续提升，电力传输与供电稳定性成为资料中心升级关键，主因电源架构由电路板层级朝晶片端整合，电容也逐步嵌入中介层或封装基板，藉缩短传输路径、降低供电损耗，满足高效能运算（HPC）需求。

此次联电与爱普合作，由联电提供DTC制程及晶圆制造能力，爱普负责矽电容设计与系统整合，已完成S-SiCap Gen2D分离式矽电容投片及初步验证，下一阶段将针对封装基板中的电容进行完整测试，支援不同电容量与工作电压需求。

双方也正探讨将合作延伸至矽中介层嵌入式电容、基板底面电容等产品线，扩大应用范围。对爱普而言，可藉联电制程与制造资源，提供客户从设计到晶圆制造的一站式服务，并为后续产品导入建立基础。

联电资深副总经理洪圭钧强调，AI与HPC成长，正推动供电架构从电路板走向晶片层级的垂直整合，DTC技术可将高密度电容配置于更靠近运算晶片的位置，提升供电稳定性。

爱普总经理洪志勋指出，客制化S-SiCap产品完成投片与初步晶圆验证，展现设计弹性及可制造性，也是产品发展的重要里程碑。

联电强调，该公司持续扩充供电解决方案，除分离式、嵌入式矽电容，也布局内部电压调节器等主动元件，并结合先进封装能力，提高电源元件整合密度，正向看待在资料中心朝更高电压与电容量发展的态势下，电源及异质整合需求。