生成式AI带动的高速运算需求正在改写全球半导体版图，而台积电二奈米制程于第四季量产，象征产业正式跨入GAA电晶体的新世代。二奈米不仅意味著能效与算力的再一次跃升，更牵动台积电大规模扩产、全球供应链升级与设备材料的全面换代。

【文／吴旻蓁】

台积电第四季起二奈米即将量产，象征全球科技产业链进入全新拐点。这项技术突破不仅象征晶体管架构正式跨入全环绕闸极（ＧＡＡ）的新纪元，更意味著ＡＩ、高效能运算（ＨＰＣ）、行动处理器与资料中心将全面进入能效更高、算力更强的新时代。

ＧＡＡ架构带来技术跨越

二奈米的技术核心源于ＧＡＡ结构，相较于已在FinFET（鳍式场效电晶体）面临物理极限的三奈米世代，ＧＡＡ采用奈米片堆叠方式，让电流控制更精准，降低漏电，使得在相同功耗下性能可提升十至十五％，或在既定性能下能耗降低二五至三○％。对于生成式ＡＩ与大型资料中心而言，能效优化已成为硬体竞逐的主战场，每一瓦功耗的改善都会转化为上千台伺服器与上亿美元级的营运成本差异。

因此，在全球生成式ＡＩ带动的超大规模资料中心投资正快速膨胀之下，台积电先进制程与先进封装产能已呈现全面满载，其中，二奈米制程预计二五年第四季起开始量产，二六年底月产量目标达到十万片；科技大厂纷纷力争产能，包括苹果、辉达、AMD、高通等大客户都已排队等候二奈米产能，故目前二奈米订单至二六年已排满，预计将成为台积电下一波成长的重要引擎。除二奈米外，三奈米持续由苹果、辉达、AMD、亚马逊与英特尔支撑；七奈米也因ＡＩ加速器与特定ＨＰＣ应用回补，出现产能利用率回升。

目前台积电于竹科宝山、高雄楠梓规划的七座二奈米厂已无法满足订单动能。像是日前辉达执行长黄仁勋来台参访南科台积电晶圆十八厂及参与公司运动会，魏哲家也透露黄仁勋是来要更多产能，且魏哲家也提及客户对先进制程的产能超过预期，因此产能仍远远不够。

鉴于此，近期市场再传台积电已与国科会等单位会商，评估在台湾再追加兴建三座二奈米厂。据供应链推测，新厂地点锁定台南市政府积极推动的「南科特定区开发案」，尤其Ａ区约四○公顷用地，被视为最适合晶圆厂的基地。台积电大举扩产，使台湾从新竹、台中到高雄形成全球最密集、最完整的先进制程集群，规模之大在全球晶圆代工史上前所未见。

根据机构法人预估，台积电明年资本支出预估上看四八○到五○○亿美元，可望续创历史新高。这样的大规模扩产，也意味著资本密集度与技术门槛同步推升，法人指出，二奈米单座晶圆厂投资金额，已远高于七奈米与五奈米世代，不仅需要更高规格的洁净室与厂务系统，更因导入高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）与更复杂的多重图案化制程等，使得投资比重进一步拉高；且从FinFET转向GAAFET架构，涉及了基础电晶体结构的根本改变，需要更复杂的键合、更高的晶圆平整度标准。换言之，二奈米不只是「多盖几座厂」，而是整个制造体系的结构性升级。

全球最大二奈米产能基地

法人指出，台积电之所以能持续在三奈米以下节点与先进封装领域维持显著领先，关键并不仅在於单一设备或制程技术，而是背后一条横跨光刻、薄膜沉积、蚀刻、清洗、量测检测，以及矽晶圆、光罩与化学材料的超大供应链体系。这条供应链长期与台积电共同开发、同步演进，使得竞争对手即便能取得相同设备，也难以在良率、量产时程与成本控制上复制其成果。（全文未完）

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