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NAND 夯 小摩按赞华邦电

时间:2026-01-27 13:45 来源:未知 浏览: 次

摩根大通(小摩)于近期「全球记忆体产业」报告中指出,随人工智慧(AI)持续畅旺,推论用的存储需求将持续提高,预估未来三年NAND记忆体整体潜在市场将进入快速成长,台厂中较为看好华邦电(2344),重申「优于大盘」的评等,而南亚科则维持中立。

小摩指出,就长期趋势来看,NAND市场正处于增长加速期。过去25年,尽管位元需求增长因终端应用成熟而放缓,但平均售价(ASP)降幅减慢抵消这利空。

小摩认为,NAND受企业级固态硬碟(eSSD)需求激增驱动,未来三年的市场总量年复合成长率(CAGR)预计将从过去的10%提升至30%以上;且目前NAND的单位经济效益正处于改善轨道。预计每片晶圆产生的NAND营收将从 2025年的5.5万美元稳步上升至2027年的10.2万美元。

随著AI推论带动储存需求,eSSD消耗量快速上升。预测eSSD位元需求在2025至2028年间的年复合成长率将达49%,到2028年将占NAND位元需求的53%。

另一点则是新的技术方法将KV快取从GPU/HBM转移到储存装置,进一步推动高效能eSSD的内容增长;加上由于传统硬碟(HDD)供应紧张,QLC技术使eSSD在成本和能效上更具竞争力,数据中心正加速采用QLC eSSD取代HDD。

最后,小摩表示,目前主要供应商正将更多生产空间分配给DRAM,导致NAND的实质产能份额下降,供给更趋理性。

高频宽快闪记忆体(HBF)方面,虽处于概念验证阶段,但若HBF在2028年后成功商业化,将成为解决「记忆体墙」问题的潜在方案。


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