编按：摘自万宝周刊1686期，相关行情以当时为主，本文旨在投资观念分享。

文／张文赫

分子束磊晶(MBE) 技术筑起高门槛

英特磊IET-KY（4971）为少数专注分子束磊晶(MBE)的三五族半导体厂。相较主流MOCVD制程，MBE能提供更高纯度与更精密的异质结构控制，特别适用于高速光电与军规感测元件。

产品涵盖磷化铟(InP)、砷化镓(GaAs)、锑化镓(GaSb)等材料，应用横跨高速光通讯、无线通讯、国防红外线感测与量子运算，技术门槛与客户黏著度兼具。

AI 伺服器推升InP需求倍增

AI 资料中心从400G迈向800G、1.6T世代，高速光收发模组与PIN、APD 等光侦测元件需求急速升温，带动 InP磊晶片成长。公司指出，2026 年 InP 订单量较去年翻倍，能见度「非常远」，目前处于供不应求状态。InP 具备高电子漂移速度、优异散热与光电转换效率，已成AI高速传输核心材料。2025 年InP营收占比约 50%，2026年可望提升至60%，在出货放量下，整体毛利率有机会再创新高。

国防与GaSb订单挹注高毛利

除AI光通讯外，英特磊亦承接美国空军二期国防合约，应用于夜视与红外线感测，相关产品多采GaSb材料，毛利率优于商规产品。2026年国防营收占比与贡献度可望创高，形成 AI 与军规双动能结构，有助平衡景气循环风险。

美国制造优势，扩产迎接长单

公司德州二厂二期工程预计2026年完工，可容纳12台新机台，强化高阶InP 与硬体组件产能。受惠「美国制造」优势，可避开潜在关税与地缘政治风险，并就近服务北美客户。产能扩充将对应客户长约需求，支撑未来两年成长曲线。

AI光传输材料受惠者

在高速光模组之外，英特磊亦前瞻布局矽光子与共同封装光学(CPO)所需之磊晶技术。整体而言，英特磊正站在 AI 光通讯与国防感测交会点。InP需求翻倍、国防合约稳定挹注，加上美国扩产与高门槛 MBE 技术，形成难以复制的竞争优势。当800G与1.6T世代加速渗透，上游磊晶供应将持续吃紧，英特磊有望在2026年迎来营收与获利同步跃升的新成长阶段。技术深化将使公司在2027年后仍具成长延续性。

本公司所推荐分析之个别有价证券

无不当之财务利益关系 以往之绩效不保证未来获利

投资人应独立判断 审慎评估并自负投资风险