记忆体族群近日表现强势，宜鼎（5289）、群联（8299）12日都再创新高，而记忆体IC设计/IP公司爱普*（6531）今日也冲上千元大关，涨停至1,055元，突破2021年4月的高点，创下历史新高。

爱普受惠AI加速器与高效能运算（HPC）需求爆发，核心技术S-SiCap™（堆叠式矽电容）成功切入美系半导体大厂供应链，营运动能强劲。堆叠式矽电容是将超高密度电容做在矽晶圆上，并透过堆叠方式整合至AI先进封装中。由于AI加速器运算时瞬间电流变化剧烈，堆叠式矽电容可在更靠近晶片的位置快速补电，提升供电稳定性。

爱普先前在法说会中表示，2026年将是公司技术转型后的「成长爆发年」。主要动能来自以下三大领域，S-SiCap部分，第三、四代S-SiCap产品已正式进入量产。而应用于Interposer（中介层）的嵌入式技术（IPD）预计于今年下半年快速成长，成为HPC市场解决电源杂讯的核心方案。

另外，爱普的VHM（极高频宽记忆体）技术针对生成式AI应用，提供较传统HBM更具成本与效能优势的解决方案。VHM 是一种「记忆体架构技术」，能透过较低成本的记忆体组合，模拟出接近 HBM 高频宽效果，适合用在边缘AI、推论ASIC、中阶AI加速器等。

爱普表示，目前以NRE（委托开发服务）为主，但与客户合作的异质整合（WoW）技术已进入关键验证阶段，为2027年后的长期动能定基。

第三动能为新一代ApSRAM™成功渗透Edge AI与穿戴装置市场，取代传统DDR记忆体，预计今年将维持稳定毛利并扩大市占率。

爱普4月营收持续表现亮眼，达8.04亿元，月减1.3%，年增92.9%；累计前四月营收29.05亿元，年增109.1%。爱普今股价急拉涨停，冲至1,055元锁死，波段涨幅达119%，超越宜鼎、群联。