华邦电（2344）依规划启动高雄路竹厂扩产，Module B估2027年动工，并考虑导入EUV，将于2029年底前进入量产下，分析师表示，在下半年DRAM与Flash的价格仍维持上行趋势，毛利率持续向上的情况下，估今年每股获利（EPS）大幅成长至24.8元。

法人机构表示，在AI带动记忆体及先进封装需求长期成长下，华邦电启动高雄路竹厂扩产规画，将原定二、三期整并为Module B同步开发，预计2027年动工兴建无尘室，最快2029年初开始装机。

华邦电将2026全年的记忆体资本支出预估，由先前预估的405亿元小幅下修至约395亿元，年增618.1%，其中生产设备资本支出约占95%，以加速增产。主要因产能扩充及设备交货延迟，部分设备交货延至2027年。尽管目前许多机器设备交期拉长，部分原订于2026年底交货的设备将递延跨年至2027年付款，但整体扩产进度不仅如期，甚至超前。

目前台中厂DRAM月产能约12K。配合高雄厂16nm新产能于2027年开出，公司规划于2027年将台中厂DRAM月产能降至约7K。

高雄厂Module A目前月产能约15K，预计在2026年底前提升至24K并开始新增产能投片。16nm月产能目前约2K，现阶段良率接近80%，目标在2026年底前提升至接近90%。长期理想目标是将16nm产能拉高至16K，逐步取代旧制程。受惠于16nm产能的开出，预估2027年高雄厂的位元产出将接近倍增。

分析师表示，AI的发展改变产业追求性价比与记忆体单价的传统，转而重视效能、算力及大容量。记忆体市场供需出现结构性改变。进入第3季，DRAM与Flash的价格仍维持上行趋势，虽然价格上涨趋势较缓，但毛利率仍持续向上，预估今年EPS将大幅成长至24.8元。