南亚科（2408）第3季获利创历史新高，记忆体股13日却遭遇沉重卖压。中国长鑫存储传出年底前将推出采用4F²架构的伺服器DDR5记忆体产品，引发市场对未来供给扩张及产业竞争的疑虑，南亚科、华邦电（2344）、晶豪科（3006）盘中纷纷重挫逾7%，南亚科一度跌破500元、下探481.5元，测试季线支撑，记忆体族群面临获利基本面与长期竞争风险的拉锯。

南亚科12日公布第3季财报，受惠DRAM平均售价（ASP）季增逾60%，单季合并营收达1,336.49亿元，季增61.9%、年增611.7%；毛利率升至85.7%；税后纯益876.27亿元，季增74.6%；每股纯益25.4元，获利与EPS双创历史新高。总经理李培瑛并看好第4季DRAM价格续涨，毛利率有机会再高于第3季；目前长期供货合约涵盖率约50%至70%，部分客户希望将短约延长至3年甚至更久，显示当前记忆体供给仍然吃紧。

不过，市场焦点转向中国记忆体厂的技术进展。长鑫存储透露，4F² DRAM架构研发取得新进展，计划于2026年底前推出结合4F²架构与混合键合技术的DDR5 RDIMM伺服器记忆体产品，显示其布局正从既有DRAM产品进一步延伸至伺服器市场。

4F²是新一代DRAM储存单元架构，相较目前主流的6F²架构，理论上可缩小单一储存单元占用面积，提升晶片密度，为后续制程微缩与成本改善提供空间。市场关注的是，若长鑫能顺利克服良率、效能、可靠性及客户验证等关卡，未来可能逐步提高伺服器记忆体市场的竞争力。

值得注意的是，长鑫宣布技术进展及产品推出计划，并不代表已经完成大规模量产，更不能直接推论其技术与产品已全面超越三星等国际大厂。后续仍须观察产品实际规格、量产时程、良率及客户导入情况，才能评估其对全球DRAM供需与价格的实质影响。

国际记忆体股同步承压，日股铠侠重挫逾1成，南韩三星电子盘中一度重挫逾7.5%、SK海力士跌逾4%，韩股跌幅扩大至6.5%以上，美国记忆体与储存类股也受到波及。市场忧虑的焦点不仅是新技术本身，更在于中国业者若持续扩产、提高产品层级，可能改变中长期供给与价格竞争格局。

对台湾记忆体族群而言，短期仍有DRAM供给吃紧、报价上扬及获利成长支撑，但股价已开始反映对未来竞争的疑虑。南亚科第4季报价与毛利率能否续强，以及长鑫新架构的产品验证、量产进展与扩产速度，将是市场接下来观察的两条主线。