国际记忆体利多连发，三星电子看好供不应求延续至2028年，SK海力士ADR昨夜更飙涨13.3%，带动美光、SanDisk等同步走强。然而，台股记忆体族群29日早盘跟涨后，随大盘一度下杀近千点而由红翻黑，南亚科（2408）、华邦电（2344）、力积电（6770）、旺宏（2337）相继走弱，呈现国际利多与台股盘势不同调的现象。

三星电子29日指出，AI需求强劲，记忆体供不应求可能延续至2028年。即使明年提高资本支出，新厂建置成本上升、设备交期拉长，仍可能限制产能成长；新一代HBM4E与HBM5晶粒尺寸扩大、制程层数增加，也会降低单片晶圆产出，成为供应扩张的限制因素。

SK海力士同样看好后市。公司连续第六季营收与营业利益创新高，并预期记忆体需求将持续超越供给至2030年，未来三年的DRAM与高频宽记忆体（HBM）供应几乎售罄。受此激励，SK海力士ADR昨夜飙涨13.3%，美光涨5.86%，SanDisk上涨7.66%，威腾电子与希捷也分别上涨4.08%、4.51%，反映市场对AI带动的记忆体与储存需求仍抱持期待。

不过，海外利多未能支撑台股记忆体股一路走高。29日早盘南亚科、华邦电一度分别上涨逾4%、3.5%，但随台股跌破4万7,000点关卡，并接连失守5日线、10日线与季线，族群卖压逐渐浮现。旺宏率先走弱，力积电、钰创（5351）、华邦电、晶豪科（3006）及威刚（3260）相继翻黑，南亚科也未能守住高档；宜鼎（5289）、十铨（4967）则在买盘承接下翻红。

除了大盘走弱，记忆体股先前已受惠AI需求、HBM扩产及报价上涨等题材，股价反映利多的程度不一，也是股价震荡原因之一。此外，中国长鑫存储新一代DRAM技术进展，也让市场持续关注中国业者的量产能力及中长期供给变化。

外资筹码亦呈现「选股不选族群」的差异。28日三大法人合计买超台股298.95亿元，外资买超159.22亿元。华邦电获外资买超2.5万张，连续两日累计买超4.7万张；力积电获买超1.7万张，连四日累计买超7.7万张。南亚科、力成（6239）、威刚、创见（2451）、十铨及晶豪科也获外资加码。反观旺宏遭卖超近3万张，居上市个股卖超榜首，显示外资并未全面追买记忆体股。

整体而言，国际大厂对AI需求与供应紧张的展望，仍为记忆体产业提供基本面支撑。短线除了观察大盘能否止稳，也须留意外资买盘是否延续，以及个股高档筹码消化情况；中长期则要追踪DRAM报价、HBM需求与中国新增供给进度，判断产业利多能否持续转化为股价动能。