SK海力士（SK Hynix）受惠HBM3和eSSD等高阶产品的销售额增加，第3季获利佳，不过，法人机构认为，由于未来记忆体涨价动能低，目前仅AI相关记忆体强，但其他消费性等则持续疲弱下，对记忆体族群维持中立评价。

由于生成式人工智慧AI市场扩大，AI伺服器记忆体的需求快速增长，SK Hynix受惠AI应用关键产品HBM3和eSSD销售增加，第3季营收季增7%，为17.5兆韩圜，其中，HBM营收季增逾70%、年增330%，eSSD营收季增20%、年增430%，加上DRAM产品整体价格持续上升，毛利率方面，SK Hynix通过提高成本较有竞争力的1anm DRAM和176层4D NAND的销售比例和产量来降低成本，特别是价格佳的HBM和DDR5出货量增加，DRAM业务获利持续增加下，单季毛利率从45.6%上扬至52.1%，税后获利约41.68亿美元，季增39.6%。

SK Hynix并将提高2025年资本支出，主要著重于HBM等高阶产品；法人机构指出，SK Hynix去年投资年减逾50%，今年重心放在高利润的产品，持续投资DDR5∕LPDDR5、HBM3∕HBM4等主力产品的量产和未来高成长领域，舍弃毛利率较差的品项。

SK Hynix表示2024年资本支出将略高于原先计划，2025年将会再向上，计划增加HBM3E供应SK Hynix并预测，HBM年均成长率将高达60%以上，提升以HBM为主的DRAM产能，将是未来首要发展。

分析师指出，根据研调机构预估，第4季DRAM合约价季增8~13%，AI伺服器支撑记忆体主要需求，加上HBM排挤现有DRAM产品产能，使供应商将延续涨价态度，但Conventional DRAM涨幅为5~10%，较第3季涨幅收缩，虽有伺服器OEM维持拉货动能，但消费型产品终端需求依然疲软，智慧手机品牌仍在观望，整体来说，记忆体报价转弱，且国内记忆体厂并无HBM等高价值产品，因此，对族群看法维持中立。

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