摩根士丹利证券（大摩）在最新释出的「大中华半导体产业」报告中形容，旧世代记忆体（Old Memory）转向「严格精挑细选」（Turning Selective），DDR4涨势虽强但动能恐趋缓，而旧世代Flash定价能力逐步回升。台厂中，大摩按赞旺宏（2337）、爱普*（6531），旺宏更列为「首选」；南亚科（2408）、华邦电（2344）皆下调至「中立」。

整体上，大摩科技产业分析师颜志天表示，当前记忆体产业进入分化阶段，市场需重新区分旧世代产品与供应商。相较于DDR4，目前更看好传统Flash的后市表现。虽然DDR4过去一年价格大幅上涨，但随需求转弱，预期2026年下半年定价动能将逐步放缓；反观旧型Flash已逐步重掌定价权，MLC与传统TLC产品的平均售价（ASP）可望于2026年下半年加速上行。

台厂中，大摩将「首选」股转向旺宏、目标价由121元升至202元；维持爱普*「优于大盘」评等，目标价由555元升至700元。

南亚科与华邦电皆由「优于大盘」下调至「中立」，目标价分别由348元降至298元、由155元降至140元。

颜志天回顾，随著产业循环推进，旧世代记忆体的超级周期由DDR4率先启动，大摩早于2025年3月即上调华邦电评等，并于同年6月提出DDR进入超级周期的观点；其后，NOR Flash与MLC NAND自2025年第4季起接续走强。考量旧世代记忆体整体可服务市场（TAM）相对较小，预期本波超级周期持续时间约为9个月至1.5年，略短于主流记忆体循环。

事实上，DDR4价格近期走势强劲。颜志天分析，8Gb合约价自2025年2月的1.35美元，飙升至2026年2月的11.5美元，年增高达752%。短期来看，3月报价可望进一步上探17至18美元，但市场已出现部分中小型客户抗拒情绪。

由于涨幅过大，供应商目前似乎开始释出库存调节供需。若2026年第2季价格无法有效站稳18美元以上，预期南亚科将面临获利了结压力。

值得注意的是，传统Flash有望成为下一个DDR4。颜志天预期，MLC与传统TLC NAND在下半年将面临更显著的供给缺口，短缺幅度上看40%。目前全球2GB至64GB容量的NAND产能几近消失，终端客户库存普遍仅剩6至9个月，供需结构转趋紧绷。

在此情况下，旺宏估值有望上修，且被视为少数具备填补缺口能力的供应商，预估自2026年第1季至第4季，MLC与传统TLC产品价格涨幅有望超过200%。此外，由于2028年与联发科（2454）在IPD矽中介层（interposer）上的新机遇，爱普*后市盈余可期。

另外，大摩虽预期南亚科与华邦电会有强劲盈余，但从股价净值比（P/B）估值与盈余上修空间来看，股价上行空间有限。华邦电因DDR4行情过去12个月股价已大涨逾500%，而2026年DDR4价格仍将逐季走扬，但下半年涨势可能趋缓；同时，随著出货量倍增及同业产能逐步开出，供需缺口已明显收敛。南亚科则随DDR4现货价接近天花板，且长鑫存储增加产能，预计2027年下半年起价格将下滑，因此皆评等下调至「中立」。