封测大厂力成（6239）董事长蔡笃恭昨（26）日表示，旗下自主开发的PiFO面板级封装技术获博通、超微等美系大厂采用，大客户已包下产能，「2027年将是力成AI封装爆发年」；此外，力成在光通讯相关布局也有好消息，将是另一成长动能。

力成是台湾半导体大厂跨入面板级封装的先驱代表，惟过去相对低调。蔡笃恭昨天亲自出面对外界揭露相关技术新进展，并开放部分产线参观，让外界一窥当中奥秘。

蔡笃恭提到，力成自主开发的PiFO面板级封装技术已获美系大客户采用，预计2027年中整合ASIC与高频宽记忆体（HBM）的AI晶片正式量产，并达到规模经济。力成并同步在光通讯领域发力，光学引擎（OE）今年底有望小量出货，与ASIC整合的共同封装光学（CPO）则锁定明年量产。

蔡笃恭强调，2027年将是力成「AI封装爆发年」，面板级封装可望成为明年以后最重要的成长动能，且目前相关产能已被超微、博通等客户包下，无法支援更多客户需求，显示AI大厂对面板级封装的需求相当强劲。

力成先进封装技术研发暨营运资深副总经理林基正说明，力成的PiFO技术是在面板上制作底层重布线层（RDL），利用矽桥接晶片（bridge die）连结ASIC与HBM，并以微凸块（micro bump）进行接合，再于模封表面制作上层RDL，最后完成基板接合，形成完整的AI封装模组。

林基正说，PiFO概念类似台积电CoWoS-L及英特尔EMIB，但在制程与载板设计上有所区隔，相较CoWoS采圆形晶圆生产，PiFO使用510×515毫米方形面板排版，一片面板依产品尺寸可产出约45至90颗，面积利用率及成本效益更高。

他指出，相较于EMIB技术必须在载板挖槽、嵌入桥接晶片，PiFO在封装端完成矽桥连接，再搭配一般ABF载板，制程弹性及良率更具优势。

蔡笃恭说，力成自2016年成立FOPLP实验线，2018年完成技术开发，2021年决定建厂，2023年产线就位，历经近十年投入，逐步建立从面板RDL、晶片贴合、模封到基板接合的一站式能力，相关产线投资金额超过200亿元。

法人预期，待2027年中量产并跨过损益两平门槛后，相关业务至少可在一年内为力成贡献每股纯益逾3元。